Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PU4421P

文档预览

PU4421P: 产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小93KB，共3页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

下载文档详细参数选型对比全文预览

PU4421P概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

PU4421P规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Panasonic(松下)
零件包装代码	SIP
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T10
针数	10
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	35 V
配置	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	2000
JESD-30 代码	R-PSIP-T10
元件数量	4
端子数量	10
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Power Transistor Arrays

PUB4121

(PU4121)

, PUB4421

(PU4421)

Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

For power amplification

■

Features

•

Built-in zener diode (30 V) between collector and base

•

Small variation in withstand pressure

•

Large energy handling capability

•

High-speed switching

•

PUB4121 (PU4121): NPN 4 elements

PUB4421 (PU4421): NPN 2 elements

25.3

±0.2

Unit: mm

4.0

±0.2

9.5

±0.2

8.0

±0.2

0.8

±0.25

0.5

±0.15

1.0

±0.25

2.54

±0.2

2.54 = 22.86

±0.25

■

Absolute Maximum Ratings

25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Peak collector current

Collector power dissipation

25°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

30±5

3.5

150

−55

+150

°C

Unit

1.65

±0.2

Solder Dip

5.3

±0.5

4.4

±0.5

0.5

±0.15

C 1.5

±0.5

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

6: Base

7: Collector

8: Base

9: Collector

10: Emitter

SIP10-A1 Package

■

Electrical Characteristics

25°C

3°C

Parameter

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Symbol

CEO

CBO

EBO

FE1

FE2 *1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

Energy handling capability

CE(sat)

BE(sat)

stg

s/b

Conditions

5 mA, I

25 V, I

5 V, I

4 V, I

1 A

4 V, I

2 A

2 A, I

8 mA

2 A, I

8 mA

10 V, I

0.5 A, f

1 MHz

2 A

8 mA, I

= −8

20 V

1.45 A, L

100 mH, R

100

Ω

100

0.4

3.0

1.0

1 000

10 000

2.5

MHz

µs

Min

Typ

Max

100

Unit

µA



Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. *1: Rank classification

*2: E

s/b

test circuit

Mercury relay

Rank

Free

1 000 to 10 000 2 000 to 10 000 1 000 to 5 000

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00064AED

Request for your special attention and precautions in using the technical information

and semiconductors described in this material

(1) An export permit needs to be obtained from the competent authorities of the Japanese Government if any of

the products or technical information described in this material and controlled under the "Foreign Exchange

and Foreign Trade Law" is to be exported or taken out of Japan.

(2) The technical information described in this material is limited to showing representative characteristics and

applied circuits examples of the products. It neither warrants non-infringement of intellectual property right

or any other rights owned by our company or a third party, nor grants any license.

(3) We are not liable for the infringement of rights owned by a third party arising out of the use of the technical

information as described in this material.

(4) The products described in this material are intended to be used for standard applications or general elec-

tronic equipment (such as office equipment, communications equipment, measuring instruments and house-

hold appliances).

Consult our sales staff in advance for information on the following applications:

•

Special applications (such as for airplanes, aerospace, automobiles, traffic control equipment, combus-

tion equipment, life support systems and safety devices) in which exceptional quality and reliability are

required, or if the failure or malfunction of the products may directly jeopardize life or harm the human

body.

•

Any applications other than the standard applications intended.

(5) The products and product specifications described in this material are subject to change without notice for

modification and/or improvement. At the final stage of your design, purchasing, or use of the products,

therefore, ask for the most up-to-date Product Standards in advance to make sure that the latest specifica-

tions satisfy your requirements.

(6) When designing your equipment, comply with the guaranteed values, in particular those of maximum rat-

ing, the range of operating power supply voltage, and heat radiation characteristics. Otherwise, we will not

be liable for any defect which may arise later in your equipment.

Even when the products are used within the guaranteed values, take into the consideration of incidence of

break down and failure mode, possible to occur to semiconductor products. Measures on the systems such

as redundant design, arresting the spread of fire or preventing glitch are recommended in order to prevent

physical injury, fire, social damages, for example, by using the products.

(7) When using products for which damp-proof packing is required, observe the conditions (including shelf life

and amount of time let standing of unsealed items) agreed upon when specification sheets are individually

exchanged.

(8) This material may be not reprinted or reproduced whether wholly or partially, without the prior written

permission of Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

2003 SEP

PU4421P相似产品对比

	PU4421P	PU4421Q	PU4121P	PUB4121	PUB4121P	PUB4421
描述	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10
零件包装代码	SIP	SIP	SIP	SIP	SIP	SIP
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T10	IN-LINE, R-PSIP-T10	SIP-10	SIP-10	SIP-10	SIP-10
针数	10	10	10	10	10	10
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	35 V	35 V	35 V	35 V	35 V	35 V
配置	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	2000	1000	2000	1000	2000	1000
JESD-30 代码	R-PSIP-T10	R-PSIP-T10	R-PSIP-T10	R-PSIP-T10	R-PSIP-T10	R-PSIP-T10
元件数量	4	4	4	4	4	4
端子数量	10	10	10	10	10	10
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz
厂商名称	Panasonic(松下)	-	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)

推荐资源

关于430头文件的问题: 程序是照着《MCU工程师炼成记》P85页写的，完全照抄没问题，不会报错，但是加上 #include "io430.h" #include "in430.h" 这两句就报错了268026 但是P90页的例子照抄然后头文件加上这两句就 ......; 天天1 微控制器 MCU

恒流源是在硬件设计中应用: 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-2-22 13:03 编辑电流的产生离不开电压和电阻，最简单的恒流结构就可以利用固定电压和固定电阻来产生，比如二极管的导通电压基本固定，配合电阻就可以产生最 ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

手机扩展坞: 数码产品给我们带来了便捷的生活，但是需要拷贝资料的时候，人们总是会头疼，因为各种的数据线会让人们心烦意乱。这是安卓智能手机或者平板电脑用到的外接读卡器，可以用来连接键盘、鼠标、SD卡 ......; 凯哥创意市集

【急问】拉丁文（西班牙语）是否支持7bit编码方式？: 请问：拉丁文（西班牙语）是否支持7bit编码方式？在给客户做一个短信终端，客户要求已7bit编码方式实现拉丁文的短信内容多谢！...; lilove751 嵌入式系统

ISE10.1中V4器件太少，是啥原因？: 我的ISE是10.1版本的，器件中Virtex4中只有XC4VLX15、XC4VLX25、XC4VSX25、XC4VFX12这几个器件，缺少很多其它的，不知道是怎么回事，请大家帮下忙，应该怎么弄才会出现其它的？我要用到Virtex4 ......; eeleader-mcu FPGA/CPLD

请问我的问题算什么开发啊?初学,请指教: 我的问题是:我有个硬件可以读取一些数据,硬件上有个按钮,按这按钮后读取后的数据通过硬件上的SIM卡,将数据发送到数据接收端(比如用短信猫接收信息). 现在我需要完成开发涉及的操作是:读取后的 ......; youliam 嵌入式系统

STM32中断编程三步曲教你弄会中断设置以及中断优先级设置

中断作为stm32中必不可少的一个功能，其重要性是不言而喻的因此把中断学习好是根本。　　所以今天就来好好啃一下中断配置的知识，俗话说：磨刀不误砍柴工。问题是什么呢?项目中我用到了一个触摸键盘TTP229，结果在测试键盘时，不能够输入密码?最终，调试出bug就是由于中断优先级的影响。　　本项目使用到的是STM32F030C8型号的MCU，我们可以从官方下载到的标准库文件中的启动汇编文件中...[详细]
新能源动力电池“三高”关键材料与技术分析和研究

前段时间参加了中国化学会第四届能源化学论坛学习了关于高比能高安全电池相关信息，再次总结和大家分享。全球新能源汽车（纯电和插混）销售量，2023年为1465万辆，2024年1823万辆。中国新能源汽车发展，迈入全球化的高质量发展新阶段，2023年新能源汽车累计销量950万辆，全球占比达到64.8，2024年累计销量达到1286万辆，全球占比70.5%。 2024年全球锂电池产量达...[详细]
电动汽车的加速度能比得过燃油车吗

新能源纯电汽车，无论是从0起步还是行进间加速，它的加快一般都比同级别的燃油车要快。究其原因很多人认为只是因为马达扭矩相比燃油发动机更大，马达瞬间爆发扭矩和燃油车叠加扭矩输出，百公里提速时间多数在5-7秒。但为何会出现这种状况呢？新能源电动汽车，英语：（newenergyelectricvehicles）新能源电动汽车的构成包括：电能动力驱动及控制系统、驱动力传动等机械系统、做成既定任务的工作装置...[详细]
莱迪思将举办关于最新小型、低功耗FPGA创新的网络研讨会

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]
不可错过的stm32单片机直流电机驱动与测速详解

　　stm32直流电机驱动与测速　　说实话就现在的市场应用中stm32已经占到了绝对住到的地位，51已经成为过去式，32的功能更加强大，虽然相应的难度有所增加，但是依然阻止不了大家学习32的脚步，不说大话了这些大家都懂要不然也不会学习stm32的人那么多!!! 　　进入我们今天的主题，今天给大家介绍的是stm32中一个很小但是比较实用的stm32直流电机驱动与测速，话不多说先给大家上一段直流电...[详细]
单片机开发过程中使用结构体简化程序

首先，作为刚入行不久的新人，我在单片机开发这块并没有太多的经验，所以可能在写一些相关的文档的时候存在一些错误，希望大家多多包含！也希望各位不吝赐教，指点迷津！好记性不如烂笔头，之所以选择开通博客是因为我想把自己在工作和学习过程中碰到的一些问题以及疑惑记录下来，同时积极地定位问题的源头以及寻求解决方案，或许在碰到相同的问题时就能很快地解决。同时在博客上也可以学习到很多工程师长期积累的经验，分享自...[详细]
是德科技携手新思科技运用AI进行射频设计迁移

是德科技将其电磁仿真器与新思科技的 AI 驱动射频设计迁移流程相结合，打造集成设计流程，助力从台积电 (TSMC) 的 N6RF+ 工艺技术迁移到 N4P 工艺技术。该迁移工作流程基于晶圆代工厂的模拟设计迁移 (ADM) 方法，旨在简化无源器件和设计组件的重新设计，使其符合先进的射频工艺规则。是德科技表示，该协作迁移工作流程充分利用了 N4P 工艺的性能提升，用于从 N6RF+ 迁移...[详细]
Plessey Semiconductors 被中国资本收购

Plessey Semiconductors 已被 Haylo Labs 收购。Haylo Labs 成立于去年 3 月，由中国科技公司歌尔股份提供 1 亿美元五年期贷款。 Haylo Labs 五个月前由成立两年的风险投资基金 Haylo Ventures 创立。Haylo Ventures 表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的 MicroLED 行业的必要性，因此成立了 Haylo L...[详细]
小型计算机——加固边缘部署的实时数据分析

与云数据库相比，小型计算机是专门为网络边缘的去中心化坚固计算而构建的。通过将应用程序、分析和处理服务移动到更靠近数据生成源的位置，业务运营可以获得改进的实时计算应用程序性能。 l 从奔腾到酷睿i5的可扩展CPU性能 l 智能电源点火管理和CAN总线网络支持 l 无线局域网和广域网LTE连接 l 丰富的I/O可扩展性，包括PoE、PCI、PCIe、COM l 适用于宽工作温度和宽电压输入的坚固...[详细]
工艺的选择很重要，辊压机轴承位磨损现场修复的完整流程

在辊压机轴承位磨损的故障处理中，常见的办法一般有补焊工艺、热喷涂工艺、电刷镀工艺以及报废更换等，考虑到方便快捷因素，上述办法都受到拆装及运输成本的制约，修复时间较长，在对停机时间有要求的场合下不占优势。下面介绍的是一种在线快速修复辊压机轴头磨损的方法，可以在短时间内快速解决问题，为企业节省停机停产时间。现场情况说明某车间合肥院辊压机轴承运行期间出现轴承温度过高，螺栓断裂，停机拆卸后发现轴承...[详细]
影响纯电动汽车爬坡能力的因素是什么

随着近年来新能源汽车逐渐普及，越来越多的人得以接触和购买电动汽车，电动汽车在结构上面是由电机，电控，电池等部件组成车辆的动力系统，对于电动汽车而言很多人在购买的时候除了关注车辆的续航里程等因素以外，同时还会关注车辆的性能，例如它的爬坡性能如何，哪些因素会影响到纯电动汽车的爬坡能力？电动汽车的爬坡能力来说，还是需要从汽车的电机来说起，现在的电动汽车都用的是减速机（非变速箱，也有用两档变速）只...[详细]
固态电池能解决新能源汽车的续航问题吗

对于新能源汽车来说，电池的重要性是毋庸置疑的，不仅决定着汽车的性能，而且电池密度与汽车的续航也有着很大的关系。目前市面上大部分的新能源汽车采用的都是三元锂电池，其能量密度和安全性还是存在着一定的缺陷。也正是因为如此，更加完美的固态电池就出现了，那么固态电池是否能够真正的解决新能源汽车所面临的续航和安全焦虑呢？首先，三元锂电池属于一种液态电池，其内部的电解质呈液体状态，所以能量密度达不到最高...[详细]
电动汽车能走多远取决于电池技术

电动汽车将为交通运输带来变革性的影响，燃油、碳排放、成本、维修费、驾驶习惯等，通通都会因此改变。当前电动汽车的一大卖点是能够缓和气候变化这一燃眉之急，但在不久的将来，人们就会知道其不仅对环境友好，而且对自己的腰包也友好，电动汽车将会比燃油汽车价钱更加实惠、性能更加优越。电气化能走多远？对能源系统和地球经济有何影响？汽车电气化正逐渐走向大众。挪威计划在2025年实现其所有的汽车均为电动型或插...[详细]
数字电路中小数的操作

　　简介：在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐。　　1,小数的运算　　在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐...[详细]
冷库温度实时巡回检测系统设计

引言　　随着社会的发展，人们对冷藏、冷冻食品质量要求不断提高，而食品外观及营养成分的变化与冷库的温度密切相关，不同的食品有不同的冷藏或冷冻温度，不同的保存时间有不同的保存温度，因此设计开发一个符合实际需要的冷库温度实时巡回检测系统，检测冷库不同位置的温度，以辅助管理人员及时对冷库温度进行调节，显得十分必要。　　在传统的冷库温度检测系统中，经常应用热敏电阻之类的温度传感器件，利用它的感温...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多