Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | WAFER |
| 包装说明 | O-XUUC-N |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 应用 | HIGH POWER |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.99 V |
| JESD-30 代码 | O-XUUC-N |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| IR280DG06HCB | IR280DG12HCB | |
|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | WAFER | WAFER |
| 包装说明 | O-XUUC-N | O-XUUC-N |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 应用 | HIGH POWER | HIGH POWER |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.99 V | 0.99 V |
| JESD-30 代码 | O-XUUC-N | O-XUUC-N |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V | 1200 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
实时操作系统RTOS
DSP 与 ARM 处理器
测试/测量
创意市集
NXP MCU
FPGA/CPLD
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
