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UF2003

产品描述2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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UF2003概述

2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

UF2003规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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HER20X / UF200X SERIES
HIGH EFFICIENCY (ULTRA FAST)
RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 2.0
Amperes
DO-15
1.0(25.4)
MIN
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA
.300(7.6)
.230(5.8)
.140(3.6)
.104(2.6) DIA.
1.0(25.4)
MIN
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-15 molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.015 ounces , 0.4 grams
Mounting position: Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
HER201 HER202 HER203 HER204 HER205 HER206 HER207 HER208
UF2001 UF2002 UF2003 UF2004 UF2005 UF2006 UF2007 UF2008
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
2.0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 2.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=50
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
50
1.0
60
1.3
5.0
100
75
30
25
-55 to +125
-55 to +150
1.7
A
V
μA
nS
pF
℃/W
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note2)
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A
,I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction to ambient
~ 102 ~
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