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UF3J

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共1页
制造商重庆平伟实业
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UF3J概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
UF3A THRU UF3K
ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE:50-800V
CURRENT:3.0A
FEATURES
·Low
power loss, high efficiency
·Low
leakage
·Low
forward voltage
·High
current capability
·High
speed switching
·High
surge capability
·High
reliability
SMC(DO-214AB)
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
0.24 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
UF3A
UF3B
100
70
100
UF3D
200
140
200
3.0
100
UF3G
400
280
400
UF3J
600
420
600
UF3K
units
800
560
800
V
V
V
A
A
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward rectified Current
at T
A
=50°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous forward Voltage at 1.0A
DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage T
A
=25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
35
50
1.0
10
1.4
1.7
V
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average,.375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
t
rr
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
C
J
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Notes: 1.Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
I
R
µA
100
50
15
75
12
nS
pF
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
www.fineprint.cn

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