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UF4007

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小168KB,共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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UF4007概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-41

UF4007规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0750 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

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UF4001 THRU UF4007
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
Reverse Voltage – 50 to 1000 V
Forward Current – 1 A
Features
Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-0
Ideally suited for use in very high frequency switching
power supplies, inverters and as free wheeling diodes
Ultrafast recovery time for high efficiency
Excellent high temperature switching
Soft recovery characteristics
Mechanical Data
Case: molded plastic, DO-41
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Absolute Maximum Ratings and Characteristics
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current 0.375"(9.5mm)
Lead Length at T
A
= 55
O
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half-sine -wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 1 A DC
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
2)
3)
1)
Symbols
UF4001 UF4002 UF4003 UF4004 UF4005 UF4006 UF4007
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
30
1
5
500
1.7
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
T
A
= 25
O
C
T
A
= 100 C
O
A
V
µA
pF
O
I
R
C
J
R
θJA
t
rr
T
J
,T
S
50
17
60
75
-55 to +150
C/W
ns
O
Maximum Reverse Recovery Time
Operating and Storage Temperature Range
1)
2)
C
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V DC.
Thermal resistance junction to ambient and from juntcion to lead at 0.375"(9.5mm) lead length P.C.B mounted.
3)
Reverse recovery test conditions: I
F
= 0.5 A, I
R
= 1 A, I
rr
= 0.25 A.
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 12/04/2006 H

UF4007相似产品对比

UF4007 UF4006 UF4005 UF4004 UF4003 UF4002 UF4001
描述 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE,600V V(RRM),DO-41 SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 ACTIVE ACTIVE CONSULT MFR ACTIVE - - -
二极管类型 信号二极管 SIGNAL DIODE 整流二极管 信号二极管 - - -
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