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UF5406

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小82KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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UF5406概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BL
FEATURES
Low cos t
GALAXY ELECTRICAL
UF5400 -
-
- UF5408
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 3.0 A
ULTRA FAST RECTIFIER
DO - 27
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plas tic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 gram s
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient temperature unless otherwis e specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
UF UF UF UF UF UF UF UF UF
UNITS
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3.0
500
350
500
600
420
600
800 1000
560
700
800 1000
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
1.0
150.0
A
1.7
10.0
100.0
75
45
20
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient.
Document Number 0264007
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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