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US1A

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小860KB,共3页
制造商上海商朗电子
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US1A概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
US1A
THRU
US1K
1 Amp Ultra Fast
Rectifier
50 to 800

Volts

DO-214AC

(SMAJ) (LEAD FRAME)
H

Features



         
 
Glass Passivated Chip

Ultra Fast Switching For High Efficiency
For Surface Mounted Applications
Low Forward Voltage Drop And High Current Capability
Low Reverse Leakage Current
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W
Junction To Lead
Catalog
Number
US1A
US1B
US1C
US1D
US1G
US1J
US1K
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
I
F(AV)
I
FSM
1.0A
30A
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
105V
140V
280V
420V
560V
T
L
= 75°C
8.3ms, half sine
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V


J
US1A
US1B
US1C
US1D
US1G
US1J
US1K
A
C
E
F
G
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.079
.050
.002
---
.030
.065
.189
.157
.090
D
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
US1A-1D
US1G
US1J-1K
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
V
F
1.0V
1.4V
1.7V
10uA
100uA
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C
MAX
.096
.064
.008
.02
.060
.091
.220
.181
.115
MM
MIN
2.00
1.27
.05
---
.76
1.65
4.80
4.00
2.25
MAX
2.44
1.63
.20
.51
1.52
2.32
5.59
4.60
2.92
NOTE
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
I
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
0.106”
MAX
0.083” MIN
US1A-1G
US1J-1K
T
rr
50ns
100ns
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
0.050”
MIN
Typical Junction
Capacitance
US1A-1G
US1J-1K
C
J
20pF
17pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300 sec, Duty cycle 1%
www.cnelectr.com

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