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MUBW10-06A7

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共1页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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MUBW10-06A7概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

MUBW10-06A7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X24
JESD-609代码e3
元件数量7
端子数量24
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)85 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)260 ns
标称接通时间 (ton)80 ns
VCEsat-Max2.3 V
Base Number Matches1
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