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6116SA45YI8

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24
产品类别存储    存储   
文件大小235KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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6116SA45YI8概述

Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24

6116SA45YI8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SOJ, SOJ24,.34
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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