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6226A35M/BUAJC

产品描述IC,SRAM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC
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文件大小513KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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6226A35M/BUAJC概述

IC,SRAM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

6226A35M/BUAJC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SON, SOLCC32,.55
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDSO-N32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码SON
封装等效代码SOLCC32,.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.135 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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