IRH3150PBF,IRH3150PBF pdf中文资料,IRH3150PBF引脚图,IRH3150PBF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRH3150PBF

IRH3150PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小272KB，共12页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRH3150PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN

IRH3150PBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BFM
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	34 A
最大漏源导通电阻	0.076 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-CBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRH3150PBF相似产品对比

	IRH3150PBF	IRH8150PBF	IRH4150PBF	IRH7150PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, TO-204AE, 2 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BFM	BFM	BFM	BFM
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2
针数	2	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	34 A	34 A	34 A	34 A
最大漏源导通电阻	0.076 Ω	0.076 Ω	0.076 Ω	0.076 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-CBFM-P2	O-CBFM-P2	O-CBFM-P2	O-CBFM-P2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A	136 A	136 A	136 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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