Microprocessor Circuit, Bipolar, PDIP40, 711-03
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 |
| 长度 | 52.07 mm |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 75 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR CIRCUIT |
| Base Number Matches | 1 |
这份文档是关于摩托罗拉的SN74LS783/MC6883和SN74LS785同步地址多路复用器（Synchronous Address Multiplexer, SAM）的技术手册。以下是一些值得关注的技术信息：
产品兼容性：这些多路复用器与MC6809E（微处理器单元, MPU）、MC6847（彩色视频显示发生器, VDG）和动态随机存取存储器（Dynamic RAM）兼容，形成了高效、紧凑且成本效益高的计算机和显示系统。
支持的RAM类型：SN74LS783/MC6883设计用于支持4K×1、16K×1和64K×1（128列刷新）的动态RAM。SN74LS785则经过修改，也支持上述产品以及16K×4和64K×1（256列刷新）的动态RAM。
低功耗动态ROM支持：SN74LS785增强了对低功耗动态ROM（例如MCM68364）的支持，无需额外的逻辑。
时钟和寄存器编程：文档详细描述了如何使用单一晶体为所有定时提供服务，以及寄存器编程，包括VDG寻址模式、VDG偏移量（0至64K）、MPU速率（晶体的16分频或8分频）等。
引脚分配：提供了详细的引脚分配图和每个引脚的功能描述，例如地址线A0-A15、读写信号RW、振荡器输入Oscin等。
系统块图：文档包含了一个典型的系统块图，展示了如何将这些多路复用器与MC6809E MPU、MC6847 VDG和其他组件如SN74LS138、SN74LS273等结合使用。
性能参数：提供了最大额定值、保证的操作范围、直流特性和交流特性等详细电气规格。
编程指南：文档提供了如何编程SAM控制寄存器的指南，包括VDG寻址模式、VDG地址偏移、32K页面切换、MPU速率和内存大小等选项。
内存映射：提供了两种内存映射配置的详细信息，以及如何使用这些映射来有效地分配内存空间。
附录：文档包含了一些有用的附录，例如为MC68000微处理器提供时钟的指南、内存解码示例和VDG/SAM视频显示系统的新模式。
| SN74LS783/MC6883ND | SN74LS783/MC6883JD | SN74LS783/MC6883JDS | SN74LS783/MC6883NDS | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Microprocessor Circuit, Bipolar, PDIP40, 711-03 | Microprocessor Circuit, Bipolar, CDIP40, 734-04 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CDIP40, 734-04 | Microprocessor Circuit, Bipolar, PDIP40, 711-03 |
| 包装说明 | DIP, | DIP, | DIP, | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 | R-CDIP-T40 | R-CDIP-T40 | R-PDIP-T40 |
| 长度 | 52.07 mm | 52.275 mm | 52.275 mm | 52.07 mm |
| 端子数量 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 最高工作温度 | 75 °C | 75 °C | 75 °C | 75 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.84 mm | 5.84 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR CIRCUIT | MICROPROCESSOR CIRCUIT | MICROPROCESSOR CIRCUIT | MICROPROCESSOR CIRCUIT |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
模拟与混合信号
嵌入式系统
微控制器 MCU
模拟电子
嵌入式系统
工业自动化与控制
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
