Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 30 A |
| 配置 | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 75 |
| 最大降落时间（tf） | 3000 ns |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X7 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 620 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 310 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 18000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 2500 ns |
| VCEsat-Max | 3 V |
| Base Number Matches | 1 |
| SK30DB120D | SK30DAL120D | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin, | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 30 A | 30 A |
| 配置 | COMPLEX | DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 75 | 75 |
| 最大降落时间（tf） | 3000 ns | 3000 ns |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X7 | R-PUFM-X7 |
| JESD-609代码 | e2 | e2 |
| 元件数量 | 2 | 1 |
| 端子数量 | 7 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 620 W | 310 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 310 W | 310 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 18000 ns | 18000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 2500 ns | 2500 ns |
| VCEsat-Max | 3 V | 3 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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