SDF10N100GAFXHSB,SDF10N100GAFXHSB pdf中文资料,SDF10N100GAFXHSB引脚图,SDF10N100GAFXHSB电路-Datasheet-电子工程世界

SDF10N100GAFXHSB: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小66KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

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SDF10N100GAFXHSB概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	325 ns
最大开启时间（吨）	210 ns
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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