STK12C68-L35M,STK12C68-L35M pdf中文资料,STK12C68-L35M引脚图,STK12C68-L35M电路-Datasheet-电子工程世界

STK12C68-L35M: 产品描述8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28; 产品类别存储存储; 文件大小83KB，共10页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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STK12C68-L35M概述

8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

STK12C68-L35M规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QLCC
包装说明	QCCN, LCC28(UNSPEC)
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
其他特性	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES
JESD-30 代码	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC28(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	2.29 mm
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8.89 mm
Base Number Matches	1

STK12C68-L35M相似产品对比

	STK12C68-L35M	STK12C68-L45M	STK12C68-C35M	STK12C68-C45M	STK12C68-C55M	STK12C68-L55M
描述	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 55ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 55ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QLCC	QLCC	DIP	DIP	DIP	QLCC
包装说明	QCCN, LCC28(UNSPEC)	QCCN, LCC28(UNSPEC)	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	QCCN, LCC28(UNSPEC)
针数	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	45 ns	35 ns	45 ns	55 ns	55 ns
其他特性	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES	EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES
JESD-30 代码	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	13.97 mm	13.97 mm	35.56 mm	35.56 mm	35.56 mm	13.97 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	DIP	DIP	DIP	QCCN
封装等效代码	LCC28(UNSPEC)	LCC28(UNSPEC)	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	LCC28(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	2.29 mm	2.29 mm	4.14 mm	4.14 mm	4.14 mm	2.29 mm
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A
最大压摆率	0.085 mA	0.08 mA	0.085 mA	0.08 mA	0.075 mA	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8.89 mm	8.89 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	8.89 mm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	-
湿度敏感等级	3	3	3	3	-	-
厂商名称	-	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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