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JAN1N756C

产品描述Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小185KB,共2页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JAN1N756C概述

Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JAN1N756C规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-35
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/127
标称参考电压8.2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差2%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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Silicon Zener Diode Series
1N746 thru 1N759, 1N4370A thru 1N4372A
Features
Available in JAN, JANTX and JANTXV
per MIL-PRF-19500/127
Double Plug Construction
Metallurgically Bonded
Also available in DO-213 MELF style package
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature:
DC Power Dissipation:
Power Derating:
-65°C to +175°C
500 mW @ +50°C
4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
TYPE
NUMBER
(NOTE 1)
VOLTS
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
ZENER
TEST
CURRENT
IZT
(NOTE 2)
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
(NOTE 3)
ZZT@ IZT
OHMS
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
μA
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
MAXIMUM
REVERSE CURRENT
IR @ VR
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
NOTE 1: Zener voltage tolerance on "A" suffix is +5%. No Suffix denotes +10% tolerance,
"C" suffix denotes +2% tollerance and "D" suffix denotes +1% tolerance.
NOTE 2: Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient
temperature of 25°C + 3°C.
NOTE 3: Zener impedance is derived by superimposing on IZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10% of IZT
Revision Date: 11/4/2009
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