W9816G6IH-7I,W9816G6IH-7I pdf中文资料,W9816G6IH-7I引脚图,W9816G6IH-7I电路-Datasheet-电子工程世界

W9816G6IH-7I: 产品描述1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50; 产品类别存储存储; 文件大小716KB，共42页; 制造商Winbond(华邦电子); 官网地址http://www.winbond.com.tw; 标准

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W9816G6IH-7I概述

1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50

1M × 16 同步动态随机存取存储器, 5 ns, PDSO50

W9816G6IH-7I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
长度	20.95 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

W9816G6IH-7I相似产品对比

	W9816G6IH-7I	W9816G6IH-5	W9816G6IH	W9816G6IH-7
描述	1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50	1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO50	1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO50	1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	50	50	50	50
组织	1MX16	1MX16	1M × 16	1MX16
表面贴装	YES	YES	Yes	YES
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	双	DUAL
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)	Winbond(华邦电子)	-	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	-	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50	50	-	50
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns	4.5 ns	-	5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz	200 MHz	-	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	-	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	-	R-PDSO-G50
长度	20.95 mm	20.95 mm	-	20.95 mm
内存密度	16777216 bi	16777216 bi	-	16777216 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	-	SYNCHRONOUS DRAM
端口数量	1	1	-	1
字数	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	-	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	-	70 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	-	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3.3 V	-	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	-	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	-	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	-	0.002 A
最大压摆率	0.1 mA	0.12 mA	-	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm

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