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HM0-65162B-5

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS,
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文件大小490KB,共9页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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HM0-65162B-5概述

Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS,

HM0-65162B-5规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装等效代码DIE OR CHIP
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
Base Number Matches1

HM0-65162B-5相似产品对比

HM0-65162B-5 HM3-65162B-5
描述 Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDIP24,
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 55 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
字数 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 DIE OR CHIP DIP24,.6
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL

 
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