IS45S16100-7TA,IS45S16100-7TA pdf中文资料,IS45S16100-7TA引脚图,IS45S16100-7TA电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS45S16100-7TA

IS45S16100-7TA: 产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50; 产品类别存储存储; 文件大小736KB，共78页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS45S16100-7TA概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50

IS45S16100-7TA规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

IS45S16100-7TA相似产品对比

	IS45S16100-7TA	IS45S16100-7TA1	IS45S16100-10TA	IS45S16100-10TA1
描述	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50	50	50	50
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	7 ns	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	143 MHz	143 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	50	50	50	50
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.003 A	0.002 A	0.003 A
最大压摆率	0.18 mA	0.2 mA	0.14 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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