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SD1013-3

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SD1013-3概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR

SD1013-3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)13 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

SD1013-3相似产品对比

SD1013-3 SD1015 SD1224-2 SD1219 SD1219-5
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR RF POWER TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,5A I(C),SOT-121VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8 RF POWER AMP TRANSISTOR, FT > 300 MHZ,STX-8
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant compliant
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO
最大集电极电流 (IC) 1 A 4 A 5 A 6.5 A -
配置 Single SINGLE Single Single -
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 5 5 -
最高工作温度 200 °C 175 °C 175 °C 175 °C -
最大功率耗散 (Abs) 13 W 40 W 60 W 75 W -
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 200 MHz -
Base Number Matches 1 1 1 - -
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