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SKR20F12

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, CASE E 39, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小432KB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准  
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SKR20F12概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, CASE E 39, 2 PIN

SKR20F12规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AC
包装说明R-PSFM-T2
针数3
制造商包装代码CASE E 39
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性SNUBBER DIODE
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.5 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e2
最大非重复峰值正向电流140 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向恢复时间0.38 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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V
RSM
V
RRM
V
1000
1200
I
FRMS
(maximum values for continuous operation)
30 A
47 A
72 A
I
FAV
(sin. 180; T
case
= 85 °C; 50 Hz)
20 A
31 A
48 A
SKR 20F10
SKR 20F12
SKR 31F10
SKR 31F12
SKR 48F10
SKR 48F12
Fast Recovery Rectifier
Diodes
1)
SKR 20 F
SKR 31 F
SKR 48 F
Symbol
I
FAV
I
FSM
i
2
t
I
RRM
Q
rr
t
rr
I
R
V
F
V
(TO)
r
T
R
thjc
R
thch
T
vj
T
stg
M
1
w
Case
Conditions
sin. 180; T
case
= 85 °C
T
vj
= 25 °C; 10 ms
T
vj
= 150 °C; 10 ms
T
vj
= 25 °C; 8,3 ... 10 ms
T
vj
= 150 °C; 8,3 ... 10 ms
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
typ.
typ.
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
typ.
T
vj
= 25 °C; V
R
= V
RRM
T
vj
= 125 °C; V
R
= V
RRM
T
vj
= 25 °C;
T
vj
= 150 °C
T
vj
= 150 °C
max
(I
F
= . . . A)
SKR20F SKR31F SKR48F Units
20
150
140
110
100
12
2)
16
2)
1,5
2)
2,7
2)
80
2)
0,1
2
2,5
(15)
1,2
70
0,70
0,30
31
320
300
510
450
19
3)
25
3)
2
3)
4,5
3)
100
3)
0,1
4
2,35
(25)
1,2
44
48
500
450
1250
1000
23
4)
35
4)
3
4)
8
4)
80
4)
0,2
4
2,5
(50)
1,2
22
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
A
µC
µC
ns
mA
mA
V
A
V
mΩ
Features
Very short recovery times
Soft recovery under all
conditions
Up to 1200 V reverse voltage
Epoxy meets UL 94V-0
flammability classification
Typical Applications
Inverse diode for power
transistors
Inverter, UPS
Snubber and clamping diode
to heatsink
approx.
SI Units
US units
0,45
0,35
°C/W
0,30
0,25
°C/W
– 40 ... 150
°C
– 40 ... 150
°C
0,55...0,8 0,7...1
0,7...1
Nm
4,8 ...7,1 6,2...8,8 6,2...8,8 lb. in.
2
E 39
5
E 40
5
E 40
g
1)
CAL (controlled axial
2)
I
F
= 15 A, di/dt = 400
3)
I
F
= 25 A, di/dt = 500
4)
I
F
= 50 A, di/dt = 800
lifetime) technology, patent No. DE 43 10 44
A/µs, V
R
= 600 V
A/µs, V
R
= 600 V
A/µs, V
R
= 600 V
© by SEMIKRON
0898
B9–3

SKR20F12相似产品对比

SKR20F12 SKR20F10
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, CASE E 39, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, CASE E 39, 2 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-220AC TO-220AC
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
针数 3 3
制造商包装代码 CASE E 39 CASE E 39
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 SNUBBER DIODE SNUBBER DIODE
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.5 V 2.5 V
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
JESD-609代码 e2 e2
最大非重复峰值正向电流 140 A 140 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 20 A 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.38 µs 0.38 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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