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HYB18TC256160AF-3S

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
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文件大小2MB,共110页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB18TC256160AF-3S概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

HYB18TC256160AF-3S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度10 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet, Rev. 1.0, Jul. 2005
HYB18TC256160AF
HYB18TC256160AF
256-Mbit DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
RoHS Compliant Products
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .

HYB18TC256160AF-3S相似产品对比

HYB18TC256160AF-3S HYB18TC256160AF-3.7
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA,
针数 84 84
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84
长度 12.5 mm 12.5 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 84 84
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 16MX16 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 10 mm 10 mm

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