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MV66030-25B0/LC

产品描述FIFO, 64X9, 22ns, Asynchronous, CMOS, CQCC28
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文件大小374KB,共7页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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MV66030-25B0/LC概述

FIFO, 64X9, 22ns, Asynchronous, CMOS, CQCC28

MV66030-25B0/LC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明QCCN, LCC28,.45SQ
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间22 ns
最大时钟频率 (fCLK)25 MHz
JESD-30 代码S-XQCC-N28
JESD-609代码e0
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
端子数量28
字数64 words
字数代码64
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X9
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.45SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

MV66030-25B0/LC相似产品对比

MV66030-25B0/LC MV66030-10B0/LC MV66030-10B0DP
描述 FIFO, 64X9, 22ns, Asynchronous, CMOS, CQCC28 FIFO, 64X9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CQCC28 FIFO, 64X9, 40ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 QCCN, LCC28,.45SQ QCCN, LCC28,.45SQ DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 22 ns 40 ns 40 ns
最大时钟频率 (fCLK) 25 MHz 10 MHz 10 MHz
JESD-30 代码 S-XQCC-N28 S-XQCC-N28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9
端子数量 28 28 28
字数 64 words 64 words 64 words
字数代码 64 64 64
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64X9 64X9 64X9
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN QCCN DIP
封装等效代码 LCC28,.45SQ LCC28,.45SQ DIP28,.6
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL
Base Number Matches 1 1 1
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