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PTFA181001F-100W

产品描述RF Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小402KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PTFA181001F-100W概述

RF Power Field-Effect Transistor

PTFA181001F-100W规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

PTFA181001F-100W相似产品对比

PTFA181001F-100W PTFA181001EV4XWSA1 PTFA181001EV4R250XTMA1 PTFA181001FV4XWSA1 PTFA181001FV4R250FTMA1 PTFA181001E V4 T500 PTFA181001E-100W
描述 RF Power Field-Effect Transistor IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 IC FET RF LDMOS RF Power Field-Effect Transistor
晶体管类型 - LDMOS LDMOS LDMOS LDMOS LDMOS -
频率 - 1.88GHz 1.88GHz 1.88GHz 1.88GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz -
增益 - 16.5dB 16.5dB 16.5dB 16.5dB 16.5dB -
电压 - 测试 - 28V 28V 28V 28V 28V -
额定电流 - 1µA 1µA 1µA 1µA - -
电流 - 测试 - 750mA 750mA 750mA 750mA 750mA -
功率 - 输出 - 100W 100W 100W 100W 45W -
电压 - 额定 - 65V 65V 65V 65V 65V -
封装/外壳 - 2-扁平封装,叶片引线 2-扁平封装,叶片引线 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 2-扁平封装,叶片引线 -
供应商器件封装 - H-36248-2 H-36248-2 H-37248-2 H-37248-2 H-36248-2 -
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