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STA508TR

产品描述IC,AUDIO AMPLIFIER,DUAL,BCDMOS,SSOP,36PIN,PLASTIC
产品类别模拟混合信号IC    消费电路   
文件大小169KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STA508TR概述

IC,AUDIO AMPLIFIER,DUAL,BCDMOS,SSOP,36PIN,PLASTIC

STA508TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codecompliant
商用集成电路类型AUDIO AMPLIFIER
JESD-30 代码R-PDSO-G36
功能数量2
端子数量36
最高工作温度90 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装等效代码SSOP36,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
电源30 V
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术BCDMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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STA508
40V 4.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
1
FEATURES
MULTIPOWER BCD TECHNOLOGY
MINIMUM INPUT OUTPUT PULSE WIDTH
DISTORTION
200mΩ R
dsON
COMPLEMENTARY DMOS
OUTPUT STAGE
CMOS COMPATIBLE LOGIC INPUTS
THERMAL PROTECTION
THERMAL WARNING OUTPUT
UNDER VOLTAGE PROTECTION
Figure 1. Package
PowerSO36
Table 1. Order Codes
Part Number
STA508
Package
PowerSO36
2
DESCRIPTION
STA508 is a monolithic quad half bridge stage in Mul-
tipower BCD Technology. The device can be used as
dual bridge or reconfigured, by connecting CONFIG
pin to Vdd pin, as single bridge with double current
capability, and as half bridge (Binary mode) with half
current capability.
Figure 2. Block Diagram
The device is particularly designed to make the out-
put stage of a stereo All-Digital High Efficiency
(DDX™) amplifier capable to deliver 80 + 80W @
THD = 10% at V
cc
35V output power on 8Ω load.
In single BTL configuration is also capable to deliver
a peak of 160W @THD = 10% at V
CC
= 35V on 4Ω
load. The input pins have threshold proportional to V
L
pin voltage.
V
CC
1A
IN1A
IN1A
+3.3V
V
L
CONFIG
PWRDN
R57
10K
R59
10K
C58
100nF
TH_WAR
IN1B
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
C58
100nF
C53
100nF
C60
100nF
IN2A
V
CC
SIGN
V
CC
SIGN
IN2A
GND-Reg
GND-Clean
21
22
33
34
M17
35
8
9
36
31
20
19
M16
M15
REGULATORS
7
V
CC
2A
C32
1µF
OUT2A
OUT2A
6
GND2A
PWRDN
FAULT
23
24
25
27
26
TRI-STATE
PROTECTIONS
&
LOGIC
M5
28
30
M4
13
M2
29
M3
15
17
16
C30
1µF
OUT1A
OUT1A
14
GND1A
C52
330pF
+V
CC
C55
1000µF
L18 22µH
C20
100nF
R98
6
C99
100nF
C23
470nF
C101
100nF
8Ω
12
V
CC
1B
C31
1µF
OUT1B
OUT1B
GND1B
R63
20
R100
6
C21
100nF
L19 22µH
11
10
TH_WAR
IN1B
L113 22µH
C110
100nF
C109
330pF R103
6
R104
20
C107
100nF
C108
470nF
C106
100nF
8Ω
4
V
CC
2B
C33
1µF
OUT2B
OUT2B
R102
6
C111
100nF
3
2
IN2B
IN2B
GNDSUB
32
M14
L112 22µH
1
5
GND2B
D00AU1148B
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Rev. 4
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