1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 25 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-226AE |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 175 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 90 ns |
| 最大开启时间(吨) | 40 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| Base Number Matches | 1 |
| TN3467A | MMPQ3467 | |
|---|---|---|
| 描述 | 1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE | 1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1.2 A | 1.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 25 pF | 25 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V |
| 配置 | SINGLE | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 4 |
| 端子数量 | 3 | 16 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 175 MHz | 175 MHz |
| VCEsat-Max | 1 V | 1 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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