GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens
SFH 4289
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
•
•
•
•
•
TOPLED mit Linse
GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
SFH 4289 Gehäusegleich mit SFH 320
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
•
TOPLED with lens
Very highly efficient GaAIAs-LED
Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
High reliability
High pulse handling capability
Suitable for surface mounting (SMT)
Available on tape and reel
SFH 4289 same package as SFH 320
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED with lens
SFH 4289
on request
2001-09-07
1
SFH 4289
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
2.5
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
≈
200
K/W
2001-09-07
2
SFH 4289
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
25
0.09
0.3
×
0.3
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
15
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
23
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
2001-09-07
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
3
SFH 4289
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
I
emin
I
etyp
I
e typ
Werte
Values
6.3
17
140
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
2001-09-07
4
SFH 4289
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
80
60
10
0
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
) single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR00881
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
),
T
A
= 25
°C
duty cycle
D
= parameter
10
4
mA
OHR00886
Zusätzliche
Informationen
über
allgemeine
Lötbedingungen
erhalten Sie auf Anfrage.
For additional information on general
soldering
conditions
please
contact us.
Ι
F
A
Ι
F
10
0
10
3
0.1
0.2
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
-1
0.5
10
2
DC
t
p
10
-2
D
=
t
p
T
Ι
F
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
1.0
OHL00732
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2001-09-07
5
51单片机
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
