DDR DRAM, 8MX32, 0.5ns, CMOS, PBGA126
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 0.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 267 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B126 |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 32 |
端子数量 | 126 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8MX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA126,12X16,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.008 A |
最大压摆率 | 0.45 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
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