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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ802-BP
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MJ802-BP

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB，共1页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准  
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MJ802-BP概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

MJ802-BP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压90 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1

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MCC
Features
•
•
With TO-3 package
Complement to PNP MJ4502
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MJ802
NPN High Power
Silicon Transistor
TO-3
Rating
90
100
4.0
30
200
200
-65 to +200
O
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
P
D
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Unit
V
V
V
A
W
℃
℃
E
A
N
C
K
D
U
V
Min
90
---
---
Max
---
1.0
5.0
Units
Vdc
mAdc
mAdc
PIN 1.
PIN 2.
CASE.
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Emitter
sustaining
Voltage*
(I
C
=200mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
=100Vdc,I
E
=0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
=4.0Vdc, I
C
=0)
Forward Current Transfer ratio*
(I
C
=7.5Adc, V
CE
=2.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=7.5Adc, I
B
=0.75Adc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=7.5Adc, I
B
=0.75Adc)
L
2
1
Q
BASE
EMITTER
COLLECTOR
H
G
B
OFF CHARACTERISTICS
V
CEO(SUS)
I
CBO
I
EBO
ON CHARACTERISTICS
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
25
100
0.8
1.3
Vdc
Vdc
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
INCHES
MIN
MAX
1.550
REF
-----
1.050
.250
.335
.038
.043
0.55
0.70
.430
BSC
.215
BSC
.440
.480
.665
BSC
-----
.830
.151
.165
1.187
BSC
.131
.188
DIMENSIONS
MM
MIN
39.37
-----
6.35
0.97
1.40
10.92
5.46
11.18
16.89
-----
3.84
30.15
3.33
MAX
REF
26.67
8.51
1.09
1.77
BSC
BSC
12.19
BSC
21.08
4.19
BSC
4.77
NOTE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
(V
CE
=10Vdc, I
B
=1.0Adc, f=1.0MHz)
*Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle 2.0%.
f
T
2.0
MHz
∅
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/04/21

MJ802-BP相似产品对比

MJ802-BP MJ802
描述 Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 90 V 90 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 2 MHz 2 MHz

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