电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SSR1010DRZU

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SSR1010DRZU概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

SSR1010DRZU规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
零件包装代码TO-254Z
包装说明HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
JESD-30 代码S-MSFM-P3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
PRELIMINARY
SOLID STATE DEVICES, INC.
14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
SSR1008M & Z
SSR1009M & Z
SSR1010M & Z
10AMPS
80 - 100 VOLTS
SCHOTTKY
RECTIFIER
TO-254 (M)
TO-254Z (Z)
Designer's Data Sheet
FEATURES:
Extremely Low Forward Voltage Drop
Low Reverse Leakage
Hermetically Sealed Package
Guard Ring for Overvoltage Protection
Eutectic Die Attach
175
o
C Operating Junction Temperature
For TO-254Z Package Specify "Z" Suffix.
Also available in following configurations
Doubler: SSR1008DM & DZ
SSR1009DM & DZ
SSR1010DM & DZ
• TX, TXV and Space Level Screening Available
Maximum Ratings
Peak Repetitive Reverse and
DC Blocking Voltage
SSR1008M & Z
SSR1009M & Z
SSR1010M & Z
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
Io
VALUE
80
90
100
10
UNITS
Volts
Average Rectified Forward Current.
(Resistive load, 60Hz, Sine Wave, T
A
=25
o
C)
Peak Surge Current
(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow
junction to reach equilibrium between pulses, T
A
= 25
o
C)
Operating and Storage Temperature
Maximum Thermal Resistance
Junction to Case
Amps
I
FSM
200
Amps
T
OP
& Tstg
R
2JC
-65 TO +175
1.7
o
o
C
C/W
NOTE:
All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RS0205F

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 354  2777  1742  536  486  8  56  36  11  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved