Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8342D20BD-500I

GS8342D20BD-500I: 产品描述QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小407KB，共30页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8342D20BD-500I概述

QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8342D20BD-500I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	10 weeks
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	500 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.26 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.865 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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GS8342D06/11/20/38BD-550/500/450/400/350

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• 2.5 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) intputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

36Mb SigmaQuad-II+

Burst of 4 SRAM

550 MHz–350 MHz

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

SRAMs. The GS8342D06/11/20/38BD SigmaQuad SRAMs

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Clocking and Addressing Schemes

The GS8342D06/11/20/38BD SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II+ B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 4M x 8 has a 1M

addressable index).

SigmaQuad-II™ Family Overview

The GS8342D06/11/20/38BD are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 37,748,736-bit (36Mb)

Parameter Synopsis

-550

tKHKH

tKHQV

1.81 ns

0.45 ns

-500

2.0 ns

0.45 ns

-450

2.2 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

Rev: 1.02a 11/2012

1/30

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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