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BYV36A(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小255KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BYV36A(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,

BYV36A(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.35 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

BYV36A(Z)相似产品对比

BYV36A(Z) BYV36B(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.35 V 1.35 V
JEDEC-95代码 DO-15 DO-15
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 1.6 A 1.6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1

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