Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
包装说明 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
应用 | FAST RECOVERY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.35 V |
JEDEC-95代码 | DO-15 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 30 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 1.6 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向电流 | 5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.1 µs |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
BYV36A(Z) | BYV36B(Z) | |
---|---|---|
描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
包装说明 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
应用 | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.35 V | 1.35 V |
JEDEC-95代码 | DO-15 | DO-15 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 30 A | 30 A |
元件数量 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 1.6 A | 1.6 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 400 V |
最大反向电流 | 5 µA | 5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.1 µs | 0.1 µs |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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