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GS8673ET36BGK-725S: 产品描述DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260; 产品类别存储存储; 文件大小382KB，共26页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS8673ET36BGK-725S概述

DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260

GS8673ET36BGK-725S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
包装说明	HBGA,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
JESD-30 代码	R-PBGA-B260
长度	22 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	260
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	2MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	2.3 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.4 V
最小供电电压 (Vsup)	1.3 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

GS8673ET36BGK-725S相似产品对比

	GS8673ET36BGK-725S	GS8673ET18BGK-550S	GS8673ET36BGK-625S	GS8673ET36BGK-625IS	GS8673ET36BGK-725IS	GS8673ET36BK-625S
描述	DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260	DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260	DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260	DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260	DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260	DDR SRAM, 2MX36, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-260
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
包装说明	HBGA,	HBGA,	HBGA,	HBGA,	HBGA,	HBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
JESD-30 代码	R-PBGA-B260	R-PBGA-B260	R-PBGA-B260	R-PBGA-B260	R-PBGA-B260	R-PBGA-B260
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	36	18	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	260	260	260	260	260	260
字数	2097152 words	4194304 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	4000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	2MX36	4MX18	2MX36	2MX36	2MX36	2MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	2.3 mm	2.3 mm	2.3 mm	2.3 mm	2.3 mm	2.3 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V	1.4 V
最小供电电压 (Vsup)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	-	-	85 °C
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	-	-	OTHER
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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