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PTE10012

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共5页
制造商Ericsson
官网地址http://www.ericsson.com
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PTE10012概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

PTE10012规格参数

参数名称属性值
厂商名称Ericsson
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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