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TK1810K

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小376KB,共8页
制造商Zarlink Semiconductor (Microsemi)
官网地址http://www.zarlink.com/
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TK1810K概述

Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM),

TK1810K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zarlink Semiconductor (Microsemi)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间100 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流150 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大漏电流10 mA
通态非重复峰值电流2000 A
最大通态电压1.5 V
最大通态电流180000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-45 °C
断态重复峰值电压1000 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

TK1810K相似产品对比

TK1810K TK1812K TK1812M
描述 Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(DRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Zarlink Semiconductor (Microsemi) Zarlink Semiconductor (Microsemi) Zarlink Semiconductor (Microsemi)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V
最大漏电流 10 mA 10 mA 10 mA
通态非重复峰值电流 2000 A 2000 A 2000 A
最大通态电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大通态电流 180000 A 180000 A 180000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -45 °C -45 °C -45 °C
断态重复峰值电压 1000 V 1200 V 1200 V
表面贴装 NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1
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