TK1810K概述

Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM),

TK1810K规格参数

	TK1810K	TK1810M	TK1812K	TK1812M
描述	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(DRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	100 µs	100 µs	100 µs	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us	200 V/us	200 V/us	200 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V
最大漏电流	10 mA	10 mA	10 mA	10 mA
通态非重复峰值电流	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A
最大通态电流	180000 A	180000 A	180000 A	180000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-45 °C	-45 °C	-45 °C	-45 °C
断态重复峰值电压	1000 V	1000 V	1200 V	1200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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