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FLM4450-4F

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小251KB,共4页
制造商SUMITOMO(住友)
官网地址https://global-sei.com/
标准  
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FLM4450-4F概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN

FLM4450-4F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SUMITOMO(住友)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
制造商包装代码CASE IB
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)1.3 A
FET 技术JUNCTION
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1
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