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1N5952B

产品描述Zener Diode; Configuration: Single; VZ Typ (V): 130; P Max (mW): 1500; Package: DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小796KB,共3页
制造商Galaxy Microelectronics
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1N5952B概述

Zener Diode; Configuration: Single; VZ Typ (V): 130; P Max (mW): 1500; Package: DO-41

1N5952B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-41
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型ZENER DIODE
Base Number Matches1
类别
配置Single
容差20%(suffix"A" for 10%,suffix"B" for 5%,suffix"C" for 2%,suffix"D" for 1%)
VZ (V) nom.130
Condition1_IT (mA)2.9
PD (mW) max1500
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesDO-41

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
1N5913B - - - 1N5956B
POWER DISSIPATION: 1.5W
Silicon planar power zener diodes
No suffix indicates a
±
20% tolerance on nominal Vz.
Suffix "A" denotes a
±10%,Suffix
"B" denotes a
±
5%,
Suffix "C" denotes a
±
2%,Suffix "D" denotes a
±
1%.
DO- 41
MECHANICAL DATA
Case:DO-41
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight:0.012ounces,0.34
grams
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
VALUE
UNIT
Pow er dissipation at T
amb
=25
P
tot
T
J
T
STG
1.5
1)
150
-55---+150
W
Junction temperature
Storage temperature
range
SYMBOL
Thermal resistance junction to
lead
MIN
TYP
MAX
45
1)
1.2
UNIT
/W
R
θ
JL
V
F
Forw ard voltage at I
F
=200mA
V
www.galaxycn.com
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
Document Number 0284024
BL
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