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BUZ334

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共2页
制造商Semiconductor Technology Inc
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BUZ334概述

Transistor

BUZ334规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semiconductor Technology Inc
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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PRODUCT SPECIFICATIONS
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC.
3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997
PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914
Website: http://www.semi-tech-inc.com
CASE OUTLINE: TO-218AA
TYPE: BUZ334
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET
N-CHANNEL
ABSOLUTE MAXIMUM RATING:
Drain – Source Voltage
Drain – Gate Voltage
Drain Current – Continuous
Drain Current – Pulsed
Gate – Source Voltage
Power Dissipation
Inductive Current
Operating and Storage Temperature
Lead Temperature From Case
ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA @ 25°C
°
Parameters
Symbol
Test Conditions
Drain Source
BVDSS V
GS
= 0V, I
D
= 0.25mA
Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage VGS(th) V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0mA
Gate – Body Leakage
Current
Zero Gate Voltage
Drain Current
On State Drain Current
Drain Source On-
Resistance
Forward
Transconductance
Drain-Source On
Voltage
Drain-Source-On
Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
IGSS
IDSS
ID(on)
rDS(on)
gFS
VDS(on)
VDS(on)
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V, f = 1 MHz
3325
450
150
V
GS
= 10V, I
D
= 7.5A
V
DS
=
≥2V
= I
D
= R
DS(ON)MAX
, I
D
= 7.5A
8.0
0.5
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V,
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
VDSS
VDGR
ID
IDM
VGS
PD
IL
TJ & Tstg
TL
600
600
12
48
±20
180
-55 to +150
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Vdc
Watts
Adc
°C
°C
Min
600
2.1
Typ
Max
Unit
Vdc
Vdc
nA
µA
µA
Adc
Ohms
mhos
Vdc
Vdc
pF
pF
pF
4.0
100
1.0
100
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