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SB160E

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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SB160E概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN

SB160E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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SB120E THRU SB160E
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER
VOLTAGE: 20 TO 60V
CURRENT: 1.0A
FEATURE
High current capability, Low forward voltage drop
Low power loss, high efficiency
High surge capability
High temperature soldering guaranteed
250° /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension
C
A-405
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8" lead length
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
0.5
SB
120E
20
14
20
SB
130E
30
21
30
SB
140E
40
28
40
1.0
40.0
0.7
SB
150E
50
35
50
SB
160E
60
42
60
units
V
V
V
A
A
V
mA
mA
pF
°C /W
°
C
°
C
1.0
Maximum DC Reverse Current
Ta =25°C
Ir
at rated DC blocking voltage
Ta =100°
C
10.0
Typical Junction Capacitance
(Note 1)
Cj
110.0
Typical Thermal Resistance
(Note 2)
R(ja)
50.0
Storage and Operating Junction Temperature
Tj
-65 to +125
-65 to +150
Storage Temperature
Tstg
-65 to +150
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.5" lead length, vertical P.C. Board Mounted
1
Rev.A5
www.gulfsemi.com

SB160E相似产品对比

SB160E SB130E SB150E
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 60 V 30 V 50 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1
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