Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
关态电压最小值的临界上升速率 | 25 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA |
最大直流栅极触发电压 | 0.8 V |
最大维持电流 | 5 mA |
最大漏电流 | 0.1 mA |
通态非重复峰值电流 | 10 A |
最大通态电压 | 1.7 V |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V |
表面贴装 | YES |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
CS89NTR13 | CS89MBKLEADFREE | CS89MTRLEADFREE | CS89MTR13LEADFREE | CS89MTR13 | CS89NBKLEADFREE | CS89NTR13LEADFREE | CS89NTRLEADFREE | CS89MLEADFREE | CS89NLEADFREE | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-3 | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 800 V | 800 V | 800 V | 600 V | 800 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | - | - |
关态电压最小值的临界上升速率 | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | 25 V/us | - | - |
最大直流栅极触发电压 | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | - | - |
最大维持电流 | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | - | - |
最大漏电流 | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | - | - |
通态非重复峰值电流 | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A | - | - |
最大通态电压 | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | - | - |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved