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P4C1256L-45DWI: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共16页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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P4C1256L-45DWI概述

Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	45 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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