STK12C68-P35,STK12C68-P35 pdf中文资料,STK12C68-P35引脚图,STK12C68-P35电路-Datasheet-电子工程世界

STK12C68-P35: 产品描述8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小388KB，共13页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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STK12C68-P35概述

8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	STORE TO EEPROM SOFTWARE,HARDWARE, OR AUTOSTORE; RECALL SOFTWARE
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	34.67 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.0015 A
最大压摆率	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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