FLL400IK-2C,FLL400IK-2C pdf中文资料,FLL400IK-2C引脚图,FLL400IK-2C电路-Datasheet-电子工程世界

FLL400IK-2C: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, CASE IK, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小58KB，共3页; 制造商SUMITOMO(住友); 官网地址https://global-sei.com/

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FLL400IK-2C概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, CASE IK, 2 PIN

参数名称	属性值
厂商名称	SUMITOMO(住友)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2
制造商包装代码	CASE IK
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	15 V
FET 技术	JUNCTION
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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