Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 16.7V; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 15V; VBR Min (V): 16.7V; VBR Max (V): 18.5V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 24.4V; Package: SMA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SMA |
| 包装说明 | SMA, 2 PIN |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
| 最大击穿电压 | 18.5 V |
| 最小击穿电压 | 16.7 V |
| 击穿电压标称值 | 17.6 V |
| 最大钳位电压 | 24.4 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 400 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压 | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 类别 | |
| Condition | 10×1000us |
| PPK (W) | 400 |
| VRWM (V) max. | 15 |
| VBR (V) min. | 16.7 |
| VBR (V) max. | 18.5 |
| IR (uA) max. | 1 |
| VC (V) max. | 24.4 |
| Condition1_IPP (A) | 16.4 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SMA |
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