MXLRT100KP58CATR,MXLRT100KP58CATR pdf中文资料,MXLRT100KP58CATR引脚图,MXLRT100KP58CATR电路-Datasheet-电子工程世界

MXLRT100KP58CATR: 产品描述100000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小261KB，共5页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MXLRT100KP58CATR概述

100000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
制造商包装代码	CASE 5A
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	71.2 V
最小击穿电压	64.4 V
击穿电压标称值	67.8 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	114 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	100000 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.61 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	58 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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