11AA080T-E/SN,11AA080T-E/SN pdf中文资料,11AA080T-E/SN引脚图,11AA080T-E/SN电路-Datasheet-电子工程世界

11AA080T-E/SN: 产品描述1K X 8 1-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO3; 产品类别存储; 文件大小22KB，共1页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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11AA080T-E/SN概述

1K X 8 1-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO3

1K × 8 1-线串行电可擦除只读存储器, PDSO3

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	3
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	5 V
最大时钟频率	1 MHz
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.9500 mm
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	1K X 8
存储密度	8192 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	1024 words
位数	1K
内存IC类型	1-WIRE SERIAL EEPROM
串行并行	SERIAL
写周期最大TWC	10 ms

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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