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PHB2N50

产品描述2A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PHB2N50概述

2A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3

PHB2N50规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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