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ST24FC21M6: 产品描述128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8; 产品类别存储存储; 文件大小157KB，共22页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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ST24FC21M6概述

128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

ST24FC21M6规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010XXXR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.6/5.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.00003 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3.6 V
标称供电电压 (Vsup)	4.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
Base Number Matches	1

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ST24LC21B, ST24LW21

ST24FC21, ST24FC21B, ST24FW21

1 Kbit (x8) Dual Mode Serial EEPROM

for VESA PLUG & PLAY

1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES

40 YEARS DATA RETENTION

3.6V to 5.5V or 2.5V to 5.5V SINGLE SUPPLY

VOLTAGE

HARDWARE WRITE CONTROL (ST24LW21

and ST24FW21)

TTL SCHMITT-TRIGGER on VCLK INPUT

100k / 400k Hz COMPATIBILITY with the I

BUS BIT TRANSFER RANGE

TWO WIRE SERIAL INTERFACE I

C BUS

COMPATIBLE

C PAGE WRITE (up to 8 Bytes)

C BYTE, RANDOM and SEQUENTIAL READ

MODES

SELF TIMED PROGRAMMING CYCLE

AUTOMATIC ADDRESS INCREMENTING

ENHANCED ESD/LATCH UP

PERFORMANCES

ERROR RECOVERY MECHANISM

(ST24FC21 and ST24FW21) VESA 2

COMPATIBLE

DESCRIPTION

The ST24LC21B, ST24LW21, ST24FC21,

ST24FC21B and ST24FW21 are 1K bit electrically

erasable programmable memory (EEPROM), or-

ganized in 128x8 bits. In the text, products are

referred as ST24xy21, where "x" is either "L" for

VESA 1 or "F" for VESA 2 compatible memories

and where "y" indicates the Write Control pin con-

nection: "C" means WC on pin 7 and "W" means

WC on pin 3.

PSDIP8 (B)

0.25mm Frame

SO8 (M)

150mil Width

Figure 1. Logic Diagram

VCC

SCL

VCLK

ST24xy21

SDA

Table 1. Signal Names

SDA

SCL

VCLK

Serial Data Address Input/Output

Serial Clock (I C mode)

Supply Voltage

Ground

Clock Transmit only mode

Write Control

Note:

WC signal is only available for ST24LW21 and ST24FW21

products.

VSS

AI01741

June 2002

1/22

ST24FC21M6相似产品对比

	ST24FC21M6	ST24FW21M6	ST24LC21BB6	ST24LC21BM6	ST24FC21B6	ST24FW21B6
描述	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	DIP	SOIC	DIP	DIP
包装说明	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	DIP, DIP8,.3	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3
针数	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION	40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010XXXR	1010XXXR	1010XXXR	1010XXXR	1010XXXR	1010XXXR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4	e4	e0	e4	e0	e0
长度	4.9 mm	4.9 mm	9.55 mm	4.9 mm	9.55 mm	9.55 mm
内存密度	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8
字数	128 words	128 words	128 words	128 words	128 words	128 words
字数代码	128	128	128	128	128	128
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128X8	128X8	128X8	128X8	128X8	128X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	DIP	SOP	DIP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	DIP8,.3	SOP8,.25	DIP8,.3	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.6/5.5 V	3.6/5.5 V	3.6/5.5 V	3.6/5.5 V	3.6/5.5 V	3.6/5.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	5.9 mm	1.75 mm	5.9 mm	5.9 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
标称供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	TIN LEAD	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	7.62 mm	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms

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