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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY23V16202T-120
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HY23V16202T-120

产品描述MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
产品类别存储    存储   
文件大小114KB，共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY23V16202T-120概述

MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

HY23V16202T-120规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e6
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HY23V16202
Description
1MX16/2MX8 BIT
CMOS MASK ROM
The HY23V16202 high performance read only memory is organized either as 2,097,152 x 8 bit (byte mode) or
as 1,048,576 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power feature allows the battery
operation.
The large size of 16M bit memory density is ideal for character generator, data or program
memory in micro-processor application. The HY23V16202 is packaged 42pin DIP , 44 pin SOP, 44 pin
TSOP-II or 48 pin TSOP-I.
Key features
• Switchable Organization
Byte Mode : 2,097,152 X 8 bit
Word Mode : 1,048,576 X 16 bit
• Single 3.3V power supply operation
• Access Time : 100/120ns (Max)
• Standby Current : 50 (Max)
• Operating Current : 35 (Max)
• TTL compatible inputs and outputs
• 3-State outputs for wired-OR expansion
• Word or Byte switchable by BHE pin
• Fully static operation
• Package
HY23V16202D
: 42pin Plastic DIP(600 mil)
HY23V16202S
: 44pin Plastic SOP(500mil)
HY23V16202T
: 44pin Plastic TSOP-II(400mil)
HY23V16202M
: 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)
HY23V16202F
: 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)
Pin Description
Pin
A0~A19
Q0~Q14
Q15/A-1
BHE
CEB*
OEB*
VCC
VSS
NC
Function
Address inputs
Data Outputs
Output Q15(Word Mode)/
LSB Address(Byte Mode)
Byte High Enable input
(Word/Byte selection)
Chip Enable input
Output Enable input
Power supply
Ground
No Connection
Pin Configuration
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CEB
VSS
OEB
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
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5
6
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BHE
VSS
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CEB
VSS
OEB
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
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16
17
18
19
20
21
22
42DIP
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VSS
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
HY23V16202T
HY23V16202D
Rev0 Page 1 of 8
HY23V16202S
¢
¢
¡
 
* User selectable polarity
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
NC
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BHE
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CEB
VSS
OEB
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
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5
6
7
8
9
10
11
12
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
44SOP
34
33
44TSOP-
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BHE
VSS
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC

HY23V16202T-120相似产品对比

HY23V16202T-120 HY23V16202S-100 HY23V16202M-100 HY23V16202D-120 HY23V16202F-120 HY23V16202M-120 HY23V16202T-100 HY23V16202F-100 HY23V16202S-120 HY23V16202D-100
描述 MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44 MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44 MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
零件包装代码 TSOP2 SOIC TSOP1 DIP TSOP1 TSOP1 TSOP2 TSOP1 SOIC DIP
包装说明 TSOP2, TSOP44,.46,32 SOP, SOP44,.63 TSOP1, TSSOP48,.8,20 DIP, DIP42,.6 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP1, TSSOP48,.8,20 SOP, SOP44,.63 DIP, DIP42,.6
针数 44 44 48 42 48 48 44 48 44 42
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns 120 ns 120 ns 120 ns 100 ns 100 ns 120 ns 100 ns
备用内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G48 R-PDIP-T42 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48 R-PDSO-G44 R-PDSO-G48 R-PDSO-G44 R-PDIP-T42
长度 18.41 mm 28.5 mm 18.4 mm 52.451 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.41 mm 18.4 mm 28.5 mm 52.451 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 44 44 48 42 48 48 44 48 44 42
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOP TSOP1 DIP TSOP1 TSOP1 TSOP2 TSOP1 SOP DIP
封装等效代码 TSOP44,.46,32 SOP44,.63 TSSOP48,.8,20 DIP42,.6 TSSOP48,.8,20 TSSOP48,.8,20 TSOP44,.46,32 TSSOP48,.8,20 SOP44,.63 DIP42,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.2 mm 1.2 mm 4.826 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.2 mm 4.826 mm
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES NO YES YES YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 0.8 mm 1.27 mm 0.5 mm 2.54 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 12.6 mm 12 mm 15.24 mm 12 mm 12 mm 10.16 mm 12 mm 12.6 mm 15.24 mm
JESD-609代码 e6 - e6 - e6 e6 e6 e6 - -
端子面层 TIN BISMUTH - TIN BISMUTH - TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH - -
厂商名称 - SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)

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热门器件

  1. FY1114C-0005
  2. LM2852XMXAX-0.8
  3. 240-032-6-25PCC6J2-18L
  4. C1210C682JAGALTU
  5. EMH25FHAT2R
  6. PPSL251TO5-24V-W18
  7. MASMBG12CAE3/TR13
  8. 82-30-34
  9. A2549WVB-7P-G
  10. A3963WVD-FT-10P-OR
  11. 13DS2-12S09NNL
  12. CQ06PT1.50

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